碳化硅微粉是一種強的共價化合物，在高溫下的自擴散系數是相當低的，導致在固相燒結都難以實現在非常高的溫度。碳化硅微粉陶瓷，在燒結的無燒結助劑差，取決于共價鍵碳化物的性質的情況。該決定的共價性質須是為了在相對高的溫度和壓力，以獲得該材料的密度高，但在高溫下燒結，從而導致異常晶粒長大，造成宏觀裂紋，材料的機械性能。當陶瓷燒結的碳化硅微粉燒結添加劑的選擇，應盡量減少引進殘存在玻璃晶界相鉛添加劑。當您添加燒結助劑，力爭使其均勻分布在陶瓷粉末。
反應燒結的碳化硅微粉陶瓷是指陶瓷碳化硅微粉燒結過程中不產生液相燒結助劑，但在固態反應，促進致密化，添加B和C作為燒結助劑，碳化硅微粉燒結成功沒有任何外部壓力條件陶瓷，添加B和C可顯著提高半導體集成電路的燒結動力學。
碳化硅微粉的工業制備方法從根本上分為兩種：粉碎工序和聚合方法。粉碎方法一般采用機械粉碎。該方法有大量精良的機械設備，生產量，但是，一般人很難產生小于1微米的細粉。聚合規則是一種離子或分子成核，生長和疾病控制通過它的直徑。在更復雜的設備，精細操作所用的方法，但得到的在1微米的超細粉末可以控制生長。這樣的方法被劃分成液體，氣相法，它本質上是兩種。對于陶瓷和耐火材料行業，絕大多數設備的使用粉粉碎的方法外，還有相當數量的特種耐火材料，并使用聚集的超細粉體制備的陶瓷精品。此外，目前的建設和硅粉耐火材料行業大量使用（SiO2超粉）實際上是聚集法氣相法產生的。法律的一般總結說，兩個各種破碎和聚合方法。
